أعلنت شركة سامسونج اليوم الخميس أنها بدأت إنتاج ذواكر تخزين داخلية للأجهزة الذكية بسعة 256 جيجابايتًا، قالت إنها الأولى في الصناعة، وهي تعتمد على معيار “التخزين الومضي العالمي 2.0” Universal Flash Storage 2.0.
وقالت الشركة الكورية الجنوبية في بيان على موقعها إن ذاكرة التخزين الجديدة تقدم أداءً متميزًا للأجهزة الذكية يفوق أداء محركات التخزين الساكنة SSD القائمة على واجهة SATA في الحواسب الشخصية، ثم إنها تقدم ضعف السرعة التي تقدمها الأخيرة.
وأوضحت سامسونج أن ذواكر التخزين الجديدة القائمة على معيار UFS تلبي الحاجة لسرعات عالية جدًا، والقدرة على نقل البيانات الكبيرة مع حجمها الصغير، في الهواتف الذكية عالية المواصفات.
وأضافت الشركة أن الذواكر الجديدة، التي تعتمد رقائق الذاكرة V-NAND الأكثر تقدمًا خاصتها، قادرة على التعامل مع ما يصل إلى 45,000 و 40,000 عملية إدخال وإخراج في الثانية الواحدة للقراءة والكتابة عشوائيًا، على الترتيب، أي أنها تقدم ضعف سرعة الجيل السابق من ذواكر UFS.
ويمكن لذواكر سامسونج الداخلية بسعة 256 جيجابايتًا الجديدة نقل ما يصل إلى 850 ميجابايتًا في الثانية الواحدة، أي ضعف سرعة أقراص التخزين SSD في الحواسب الشخصية.
وبهذه القدرات، قالت الشركة إن باستطاعة الذواكر دعم تشغيل الفيديو فائق الوضوح 4K وتعدد المهام على شاشات الأجهزة الذكية الكبيرة، مثل مشاهدة فيديو 4K Ultra HD على شاشة مجزأ، أثناء البحث عن ملف صور أو تنزيل مقاطع فيديو.
وأشارت سامسونج إلى أنها كانت قد أعلنت عن توفر ذواكر UFS بسعة 128 جيجابايتًا في شباط/فبراير 2015، وفي أقل من سنة تمكنت من مضاعفة السعة والسرعة لهذه الفئة من الذواكر، الأمر الذي ترى الشركة أنه ينبغي أن يحفز مزيدًا من النمو في سوق الأجهزة الذكية.
ولما كانت شركة سامسونج قد بدأت إنتاج هذه الذواكر، يُتوقع أن يضم هاتفها اللوحي المرتقب للعام الحالي “جالاكسي نوت 6” أن يقدم مساحة تخزين داخلية قدرها 256 جيجابايتًا.
ليست هناك تعليقات:
إرسال تعليق